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无锡中镀科技有限公司
主营：晶圆制造,半导体封装 - 18962647161
无锡中镀科技有限公司
主营：晶圆制造,半导体封装
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PALLADEX® PDNI M2 HS
高速钯-镍电镀工艺
PALLADEX PDNI M2 HS制程采用高速电镀技术，**于在电子元件上电镀钯镍合金。镀层一般含有 80 wt%的钯，但可通过调整使合金含量在 50%至 之间。在50 至 800 ASF 的电流密度范围内，镀层组成稳定，变化量低于±5%。溶液配方*特，可产生光亮、延展性好的镀层，性能满足严格的接触稳定性要求。另外，钯-镍合金较硬金或纯钯均显示较低的孔隙率及较好的耐磨性。因此，PALLADEX PDNI M2HS 成为高可靠性连接器体系的较佳选择。溶液具有较高的电镀速率并易于采用标准技术维护。PALLADEX PDNI M2 HS制程可在中性 pH下操作，较传统工艺腐蚀性小。
PALLADEX PDNI M2 工艺使用量低，因此气味小。使用本产品前请仔细阅读此技术说明书。
镀层物理性能
硬度： 450 - 500 KHN25
组成： 80% (wt) Pd ±10%
Pd密度： 10.7 g/cm3
重量： 2.7 mg/cm2 (2.5微米厚镀层)
接触电阻： < 4 mΩ
所需物质
PALLADIUM COMPLEX NO 5
PALLADEX PDNI M2 HS B
PALLADEX PDNI M2 HS R1 CONC
PALLADEX PDNI M2 HS R2
PALLADEX CONDUCTING SALT NO 5
硼酸
96%
氢氧化铵 28% (NH4OH)
© 2012, Enthone Inc. Issued: 09 Jan 2013 CN: 09 Jan 2013
Spsds: 24 Feb 2012
PALLADEX® PDNI M2 HS
Technical Data Sheet
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PALLADIUM COMPLEX NO 5
含有钯盐(37%钯金属)，用于开缸及补充。
PALLADEX PDNI M2 HS B
含有镍及添加剂，用于开缸工作液 (不含钯)。
PALLADEX PDNI M2 HS R1 CONC
含有镍，用于补充镍金属。
PALLADEX PDNI M2 HS R2
含有添加剂，用于改善润湿性、光亮性及延展性。
PALLADEX CONDUCTING SALT NO 5
用于提供溶液导电性。
使用试剂级的氢氧化铵 (NH4OH) 提高 pH。
硼酸提供镀液所需 pH。
所需设备
镀槽
使用高硼硅 (Pyrex)，聚四氟乙烯 (PTFE)，** (无填料) 聚丙烯，PVC或高密度聚乙烯外部支撑。
整流器
标准直流电源，波动小于 5%，电流输出能力足够满足电镀工艺要求。装置需配有伏特计，安培计以及能精确调整电流的连续控制装置。强烈建议使用安培分钟计。
阳极
镀铂的钛或铌阳极，外覆铂的钛或铌阳极或纯铂阳极。建议镀铂钛阳极的面积足够能提供较大阳极电流密度为 0.3 ASD。
过滤
采用 1 微米 (至少 5 微米) 的聚丙烯滤芯持续过滤以维持溶液澄清。使用前，将滤芯在10%氢氧化钠溶液 60 ℃ (140 °F)下浸泡数小时，然后在流动水中清洗，最后将滤芯在50%氢氧化铵中浸泡。
PALLADEX® PDNI M2 HS
Technical Data Sheet
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所需设备 (续)
搅拌
适当的机械搅拌配合采用过滤泵的溶液搅拌，保证镀层均 并阻止电镀工件产生气孔。
温度控制
可采用如瓷质、钛或 PTFE 的浸入式加热器。注意：加热器周围溶液搅拌须充分以避
免局部过热。单位面积热密度低的加热器是较合适的。
通风
高速电镀时建议使用通风系统。请参照当地法规。
化学组成
较佳值 范围
钯，g/L 25 22.5 - 27.5镍，g/L 18 15 - 25
密度，kg/L (°Bé) 1.05 (7) > 1.05 (>7)硼酸，g/L 10 5 - 15
PALLADEX CONDUCTING SALT NO 5,g/L 50 40 - 80
pH 7.3 7 - 7.5
温度，℃ 40 30 - 55
阳极/阴极比例 2 : 1 1 : 1 - 5 : 1阴极电流密度 (取决于溶液搅拌)，A/dm2 10 4 - 50
效率，mg/Amin 26 24 - 28
% 92 85 - 98
电镀 1微米 (10 A/dm2) 时间， sec 32 35 - 30